0755-82545498 QQ:531398920 朱先生
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
70 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
6.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
423pF @ 10V
功率 - 值
460mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
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