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如果控制GND与电源通过广泛的共同模式GND相连，它可能会造成电源GND波动故障。
建议在只有一个点N1连接控制GND和电源的GND（分流电阻的端子附近） 。
建议将每对控制电源端子，以防止浪涌破坏之间的齐纳二极管D1 （ 24V / 1W ） 。
为了防止电涌破坏，在平滑电容器和P之间的布线， N1的端子应尽可能的短。
通常推荐在P -N1端子之间的0.1-0.22μF缓冲电容器C3组成。
R1 ， RC滤波器，以防止保护电路误动作的C4 ，建议选择公差，温度补偿型。
时间常数R1C4应设置使得SC电流关断2μs的范围内。 （为1.5μs 〜 2μs的普遍价值。 ） SC中断时间
可能与布线图案各不相同，所以在真实系统上的足够的评价是必要的。
为了防止误动作，A，B的布线， C应该尽可能地短。
在该配线的CIN滤波器分割点D应分流电阻的端子附近。 NU ， NV ， NW终端应
连接近NU ， NV ， NW终端。
所有的电容应安装尽可能靠近终端成为可能。 （C ：良好的温度，频率特性的电解
型和C2 ： 0.22μ - 2μF ，良好的温度，频率和直流偏置特性的陶瓷型推荐） 。
输入驱动为高电平有效。有在集成电路的输入电路中的3.3kΩ的下拉电阻。为了防止故障，
每个输入的布线要尽可能短。当使用RC耦合电路，确保输入信号电平满足开通
和关断阈值电压。
FO输出为开漏型。应当拉至MCU或控制电源（例如5V， 15V ）通过一个电阻器，使我
Fo
最多
为1mA。 （我
FO
大致是由控制电源电压通过上拉电阻分割的公式估算。在的情况下上拉至
5V， 10kΩ的（ 5kΩ的或更多）的建议。 ）
由于内置HVIC ，直接连接到MCU无需任何光耦合器或变压器隔离是可能的。
两个V
NC
终端（ 9 & 16针） DIPIPM内部连接，请任何一个连接到15V电源GND外
另一个保持开路。
如果高频噪声叠加到控制电源线，可能导致IC故障并导致DIPIPM误动作。
为了避免这样的问题，线电压纹波电压应该满足的dV / dt ≤ +/- 1V / μs的， Vripple≤2Vp -P 。
对于DIPIPM的，所以不推荐通过与其他相的IGBT或其它DIPIPM的并联连接，以便驱动该负载。
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