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数据列表EMB9, UMB9N, IMB9A

标准包装  3,000零件状态不適用於新設計类别分立半导体产品产品族晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置系列-

规格晶体管类型2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（值）100mA电压 - 集射极击穿（值）50V电阻器 - 基底（R1）10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）47 千欧不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值）68   5mA，5V不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值）300mV   250μA，5mA电流 - 集电极截止（值）500nA频率 - 跃迁250MHz功率 - 值150mW安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装UMT6