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数据列表SPP/SPI/SPA15N60C3

标准包装  500包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列CoolMOS™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3.9V @ 675μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）63nC @ 10V电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）@ Vgs10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1660pF @ 25V电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds25VFET 功能-功率耗散（值）34W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）280 毫欧 @ 9.4A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装PG-TO220-FP封装/外壳TO-220-3 整包