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数据列表SI2301CDS

标准包装  3,000

包装    标准卷带 

零件状态   在售

类别     分立半导体产品

产品族     晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.1A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）2.5V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）112 毫欧 2.8A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V   250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）10nC 4.5VVgs（值）±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）405pF   10VFET 功能-功率耗散（值）860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3