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数据列表IXFB100N50P

标准包装  25

包装     管件 

零件状态    在售

类别    分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HiPerFET™，PolarHT™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）49 毫欧 @ 50A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 8mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）240nC @ 10VVgs（值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）20000pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）1890W（Tc）工作温度-安装类型通孔供应商器件封装PLUS264™封装/外壳TO-264-3，TO-264AA