深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-82545498 13538016218 QQ：531398920朱先生

数据列表RUE003N02 

标准包装  3,000

包装  标准卷带 

零件状态    不適用於新設計

类别    分立半导体产品

产品族   晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）300mA（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）1 欧姆 300mA，4V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V    1mAVgs（值）±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）25pF    10VFET 功能-功率耗散（值）150mW（Ta）工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装EMT3封装/外壳SC-75，SOT-416