深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-82545498 13538016218 QQ：531398920
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
57A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
3130pF @ 25V
Vgs（值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（值）
200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
23 毫欧 @ 28A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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