分立半导体产品SI2305CDS-T1-GE3

发布时间:2016/5/16 9:45:54

深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-82545498  QQ:531398920  朱先生


FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 35 毫欧 @ 4.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 30nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 960pF @ 4V
功率 - 值 1.7W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

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