分立半导体产品DMN2990UFA-7B

发布时间:2016/5/16 9:39:22

深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-82545498  QQ:531398920  朱先生


FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 510mA(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 990 毫欧 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 27.6pF @ 16V
功率 - 值 400mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-XFDFN

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