供应APEC/富鼎，AP2311GN，P沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23(N)封装。我司产品常期备有现货，深圳市内可送货上门，如需详细规格书/ROHS/产品选型表等资料请QQ索要或电话联系！

产品描述
AP2311GN是来自APEC电源设计师的cegnme Pow MOSFET，具有快速开关、低导通电阻和成本效益的zui佳组合。
SOT-23封装广泛优选用于所有商业工业表面安装应用，并适用于诸如DC/DC转换器的低电压应用。

产品特征

▼ 简单驱动器要求
▼ 小包装大纲
▼ 表面安装设备
▼ 符合RoHS

产品参数

漏极-源极电压：-60V
栅源电压：+20V
连续漏电流IDTA=25℃：-1.8A
连续漏电流ID@TA=70℃：-1.4A
脉冲漏电流：-10A
总功耗：1.38W
线性降额系数：0.01W/℃
储存温度范围：-55至150℃
工作结温范围：-55至150℃