新洁能原厂代理现货热卖供应型号NCEP8589封装 TO-221原装
发布时间：2017/6/13 10:53:56
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品名
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N沟道深沟槽MOSFET NCEP8588
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型号
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NCEP8588
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丝印标识
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NCEP8588
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品牌
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新洁能
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封装
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TO-220
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器件结构
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屏蔽栅深沟槽工艺
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晶体管类型
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单通道
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晶体管极性
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N管
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通道模式
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增强型
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漏源极击穿电压 Vds
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85V
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连续漏极电流 Id @ 25°C
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88A
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源极电流 Is
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88A
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漏源导通电阻 Rds(ON) @ Id , Vgs
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6.4mOhms @ 44A 10V
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耗散功率(W)
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125W
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栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id
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2.5V ~ 4.5V @ 250μA
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栅极-源极电压 Vgs
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±20V
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栅极电荷 Qg @ Vgs
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44nC @ 10V
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输入结电容值 Ciss @ Vds
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3500pF @ 40V
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正向跨导
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60S
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N沟道接通延迟时间(nS)
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18.00
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N沟道接通上升时间(nS)
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50.00
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N沟道关断延迟时间(nS)
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30.00
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N沟道关断下降时间(nS)
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10.00
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体二极管正向电压 Vsd @ Is
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1.2V @ 88A
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体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C
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68nS
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体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C
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139nC
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环境工作温度
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175℃
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环境工作温度
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-55℃
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包装数量
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50
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包装方法
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管装
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生产状态
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量产中
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工程技术
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MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。
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外观尺寸
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10.16mm×8.70mm×4.57mm
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