射频器件是无线通信设备的基础性零部件，在无线通信中扮演着两个重要的角色：首先是在发射信号的过程中，能将二进制信号转换成高频率的无线电磁波信号；其次是在接收信号的过程中，能将收到的电磁波信号转换成二进制数字信号。射频前端主要包括射频开关、滤波器、双工器、PA（功率放大器）、LNA（低噪声放大器）等器件。

而近年来，quan球射频开关市场保持快速增长态势。射频开关，又称为微波开关，它是构成射频前端的一种芯片，主要作用在于通过控制逻辑，实现对不同方向（接收或发射）、不同频率的信号进行切换，以达到共用天线、节省终端产品成本的目的。按照刀数和掷数，射频开关可以分为单刀单掷(SPST)、单刀双掷(SPDT)、单刀多掷(SPNT)、多到多掷(NPNT)。接下来我们就来讲一讲如何选择合适的射频开关。

CKRF2179MM26是pHEMT GaAs SPDT(单刀双掷)开关。这设备运行频率为0.05 ~ 3.0GHz，具有低插入损耗和高隔离性。

AS179-92LF是一种pHEMT GaAs FET单刀双掷开关。该装置具有插入损耗小、正极好等特点极低直流功耗的电压操作，低成本封装sc70-6(2.00 x 1.25 mm)。

UPG2179TB是日本RENESAS生产的砷化镓MMIC L s波段领域开关(单刀双掷)。该装置的工作电压为2.5 ~ 5.3 V。这个装置的工作范围从0.05到3.0 GHz，低插入损耗，高隔离。但是目前已经停产，新产品不作主推。

PE4259 UltraCMOS RF开关的设计涵盖10MHz的广泛应用范围通过3000 MHz。这个反射开关板载CMOS低电压控制逻辑cmos兼容的控制接口，并可以使用单引脚或互补控制控制输入。使用标称%2B3V电源电压，一个典型的输入1dB的压缩点%2B33.5 dBm可以实现。PE4259是在Peregrine 's上生产的超微半导体工艺，硅的zhuan利变种蓝宝石上的绝缘体(SOI)技术衬底，提供了砷化镓的性能传统CMOS的经济性和集成度。

ATR5179是动能世纪的一款采用 pHEMT GaAs 工艺制作的单刀双掷开关单芯片，芯片内部电路结构简单，该芯片的推荐工作频率为 20MHz-4GHz，开关芯片采用单电源 供电控制，有非常低的电流功耗，开关开启工作时有非常低的插入损耗。

性能参数对比：

结语:从以上AS179-92、PE4259、CKRF2179MM26等各类射频开关选型对比分析，这几款射频开关相对来说，目前ATR5179的性价比是比较高的，行业内的使用体量也不少，各厂家可以根据对应的产品相应地选择适合自己产品的射频开关。另外，未来随着封装尺寸的减小，整体射频器件也呈现出模组化的趋势，未来射频开关性能和单机价值量有望进一步提升。