供应STWA30N65DM6AG  ST功率MOSFET  可替代IPW65R110CFDA

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制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 28 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.75 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
工作温度: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 284 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: MDmesh
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
工厂包装数量：600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N - Channel
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 6 g

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