IPA90R1K0C3 英飞凌MOSFET

产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 5.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
工作温度: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 32 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 35 ns
高度: 16.15 mm
长度: 10.65 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
系列: CoolMOS C3
工厂包装数量：500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 400 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
宽度: 4.85 mm
零件号别名: IPA9R1KC3XK SP000413712 IPA90R1K0C3XKSA1
单位重量: 2 g

联系人：王小姐
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