NSV1C201LT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V SOT23 LOW V-SAT

发布时间:2022/5/18 11:26:57

NSV1C201LT1G   双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V SOT23 LOW V-SAT

产品属性 属性值
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极max电压 VCEO: 100 V
集电极—基极电压 VCBO: 140 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
集电极—射极饱和电压: 30 mV
直流电集电极电流: 2 A
Pd-功率耗散: 490 mW
增益带宽产品fT: 110 MHz
工作温度: - 55 C to + 150 C
资格: AEC-Q101
系列: NSS1C201L
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
集电极连续电流: 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 120
直流电流增益 hFEmax: 360 at 500 mA, 2 V
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
标准包装:3000
子类别: Transistors
技术: Si
单位重量: 8 mg

联系人:王小姐
手机:15773539469  座机: 0755-83229740
QQ:2853611909     Email:huijun@fj-ic.cn 
公司网址: http://www.fj-ic.com



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