IRLR3110ZTRPBF英飞凌 MOSFET

产品属性
制造商: Infineon  
产品种类: MOSFET    
技术: Si  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: TO-252-3  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 100 V  
Id-连续漏极电流: 63 A  
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V  
Qg-栅极电荷: 34 nC  
工作温度: - 55 C  to  + 175 C  
Pd-功率耗散: 140 W  
通道模式: Enhancement  
封装: Reel  
封装: Cut Tape    
商标: Infineon / IR  
配置: Single  
下降时间: 48 ns  
正向跨导 - mininum: 52 S  
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 110 ns  
工厂包装数量: 2000  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
典型关闭延迟时间: 33 ns  
典型接通延迟时间: 24 ns  
宽度: 6.22 mm  
单位重量: 330 mg  

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