FGH60N60SMD IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

产品属性
制造商: onsemi  
产品种类: IGBT 晶体管  
技术: Si  
封装 / 箱体: TO-247  
安装风格: Through Hole  
集电极—发射极MAX电压 VCEO: 600 V  
集电极—射极饱和电压: 1.9 V  
栅极/发射极MAX电压: 20 V  
在25 C的连续集电极电流: 120 A  
Pd-功率耗散: 600 W  
工作温度: - 55 C  to + 150 C  
系列: FGH60N60SMD  
封装: Tube  
商标: onsemi / Fairchild  
栅极—射极漏泄电流: 400 nA  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 450  
子类别: IGBTs  
单位重量: 6.390 g