IRFP4468PBF 英飞凌MOSFET现货

产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 290 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 360 nC
工作温度: - 55 C to + 175 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量：400
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
零件号别名: IRFP4468PBF SP001554960
单位重量: 6 g

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