CSD17551Q5A_TPS65185RSLR导读

具体如下图所示。。其中，关闭了42座150mm晶圆厂和24座200mm晶圆厂，而关闭的300mm晶圆厂数量仅占关闭总数的10%。据IC Insights统计，在过去的10年中(2009-2018年)，全11球半导体制造商总共关闭或重建了97座晶圆厂。

随着5G网络和下一代通信技术的出现，从商业到医疗保健、农业和教育的众多领域都将受其影响。   一旦在通信基础设施到位可以支持大量数据的传输，企业和政府就会希望提供无线覆盖，以便在较后一英里的点对点连接，从仓库中相互通信的对象到通信智能手机、恒温器、心率监测器和许多其他设备之间。

74HCT4053PW 其他被动元件

SN74HCS74QPWRQ1 BQ27200EVM TPD8F003DQDR LMC6082AIN/NOPB 。

行业内大量的150mm晶圆厂被关闭，越来越多的300mm晶圆厂上马并逐步实现量产。那么，这是不是意味着150mm晶圆正在逐步退出历史舞台呢？答案是否定的，150mm晶圆依然有着巨大的市场空间。

在业内，TI首次将这项技术用于集成时钟功能。 过去，BAW谐振器技术常被用于过滤诸如智能电话之类的通信技术中的信号。为了深入了解TI 这次在BAW技术上的新突破，我们要从BAW滤波器的原理说起：。

BAW filter的较基本结构是两个金属电极夹着压电薄膜(Quartz substrate在2GHz下厚度为2um)，声波在压电薄膜里震荡形成驻波(standing wave)。

TPS7A7100RGTR 其他被动元件

UCC28063DR LM536003QDSXRQ1 UCC2892DR MSP430FR2111IPW16R UCC21520QDWRQ1 。

TI高速数据和时钟副总裁Kim Wong表示，该技术还实现了物联网设备之间的高精度和强大通信，现在可以以不那么笨重的形式开发。

TPS630701RNMT TPS630702RNMR TPS54218RTER TPS92692PWPR TPS56C230RJER 。

IDC连接和智能手机半导体研究总监Philip Solis说，“新的BAW谐振器技术非常重要，因为TI正在将其集成到其硅芯片产品中，从而缩短设计时间，解决方案尺寸和元件成本。”。

典型的基本结构如上图(a)，上下金属电极中间夹着压电层，对应的mBVD等效电路如上图(b)，对应的阻抗如上图(c)，可以看出有两个resonance频率，串联(fs)和并联(fp)。工作原理如下图。

还有一种方法叫FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator), 包括Membrane type和Airgap type。   Membrane Type是从substrate后面etch到表面(也就是bottom electrode面)，形成悬浮的薄膜(thin film)和腔体(cavity)。。

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