SN74HC373DWR

发布时间:2021/7/13 16:50:20

SN74HC373DWR_MDH12577C-330MA=P3导读

TI BAW振荡器是一种电子振荡器电路,它利用压电效应,通过震动的微型声波谐振器(BAW)的机械谐振产生稳定的电子信号。这种精1确的高频信号可为电子系统提供时钟和计时参考。

而从地区来看,日本关闭的晶圆厂数量多。据悉,瑞萨预计将会在2020年或2021年再关闭两座150mm晶圆厂。以瑞萨为例,该公司近关闭的两座晶圆厂都是150mm的,包括位于日本高知县的一家工厂,该工厂主要生产模拟、逻辑器件以及一些型号陈旧的微型元器件。此外,瑞萨还将位于日本滋贺县大津的工厂调整为生产光电器件。


SN74HC373DWR_MDH12577C-330MA=P3


AS5600-ASOM 其他IC

TPS74801DRCR TPS22918DBVR TLV62569ADRLR TLV62569ADRLT TPS61230ARNST 。

TPS22919DCKR CSD23381F4 CSD23280F3 LM76002RNPR LM76002RNPT 。

TPS563209DDCR TPS563209DDCT TS3USB221RSER LM339APWR MAX3232IPWR 。

TPS65131TRGERQ1 TPS73701DCQR TPS2421-2DDAR TPS61022RWUR TPS61041DBVR 。


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LQH43MN152K03L

IDC连接和智能手机半导体研究总监Philip Solis说,“新的BAW谐振器技术非常重要,因为TI正在将其集成到其硅芯片产品中,从而缩短设计时间,解决方案尺寸和元件成本。”。

DRV8876NPWPR DRV8872DDARQ1 DRV5013ADQDBZT DRV5013ADQDBZR TPD4E001DRLR 。

TPS630701RNMT TPS630702RNMR TPS54218RTER TPS92692PWPR TPS56C230RJER 。

。为了把声波留在压电薄膜里震荡,震荡结构和外部环境之间必须有足够的隔离才能得到小loss和大Q值。而震荡结构的另一面,压电材料的声波阻抗和其他衬底(比如Si)的差别不大,所以不能把压电层直接deposit(沉积)在Si衬底上。声波在固体里传播速度为~5000m/s,也就是说固体的声波阻抗大约为空气的105倍,所以99.995%的声波能量会在固体和空气边界处反射回来,跟原来的波(incident wave)一起形成驻波。

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BAW filter有多种类型,包括ladder type filter,lattice type filter,stacked crystal filter和coupled resonator filter。这里只简单介绍ladder type和lattice type。BAW filter可以把多个resonator按一定拓扑结构连接。

BAW filter更适合于2.5GHz以上的频率,BAW filter的制造工艺也非常符合现有的IC制造工艺,适合和其他的active电路做整体的integration。。


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