LVT125_TPS2066DR导读

。具体如下图所示。据IC Insights统计，在过去的10年中(2009-2018年)，全11球半导体制造商总共关闭或重建了97座晶圆厂。其中，关闭了42座150mm晶圆厂和24座200mm晶圆厂，而关闭的300mm晶圆厂数量仅占关闭总数的10%。

新型降压-升压型充电器可帮助工程师减小解决方案尺寸和物料清单（BOM），是TI个完全集成下述组件的器件：。充电器可提供155 mW/mm2（100 W/in2）的功率密度，高于市场约两倍。

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9200 SSD为应用程序和数据库加速、在线事务处理 (OLTP)、高频交易和高性能计算等高要求功能提供高容量、快速度和低延迟，是市场上首批容量超过10 TB的NVMe SSD之一。。

LRC-LRF1206LF-01-R020-F CAW51R50JLF CAW510R0JLF SMC210049R9FLF-13 。

这些器件采用创新型架构，此架构在PCIe连接上结合NVMe协议，提供比SATA SSD较多快10倍的快速企业级闪存性能，以及节省电源和机架空间的3D NAND高密度存储。供应的Micron 9200系列SSD将3D NAND和NVME技术的功能融合到企业级存储产品中。。

组件数量的减少对于诸如智能扬声器之类的应用颇有价值；而且，随着市场采用率的提高，这些应用产品的尺寸和成本不断缩小。开关金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、充电路径管理FET、输入电流和充电电流检测电路和双输入选择驱动器。

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CVF51002JLF CAF51500JLF CAW104R70JLF CAW5R560JLF SPH1000J 。

BQ25790和BQ25792是TI首款静态电流低于1 ?A的多电芯的降压-升压电池充电器。结合极低的8mΩ电池FET电阻，工程师可进一步延长电池运行时间。通过运输模式和关机功能将静态电流降低多达十倍，所提供的电池待机时间比市场高至少五倍。

TPS560430XFDBVR XTR117AIDGKR CSD15380F3T MSP-EXP432P401R TPS2051BDBVR 。

TPS65400RGZR TPS65400RGZT TPS92515QDGQRQ1 TPS92515QDGQTQ1 TPS560430XFDBVT 。

以上就是可将数据中心吞吐量和存储容量提高的Micron 9200 NVMe SSD解析，希望能给大家帮助。。

而对于SAW，也叫Rayleighsurface wave，既有纵波也有横波。固体中粒子以椭圆轨迹震动，椭圆的长轴垂直于固体表面，随着固体徐州百都网络越深，粒子运动幅度越小。。

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