本项就电路上的噪声对策进行说明。开关电源的设计时，必须进行噪声的评估和对策。
首先略为重温与噪声相关的术语。
EMI（Electro Magnetic InteRFerence）：电磁干扰
电波和高频电磁波成为噪声，影响电子设备等，或是会造成影响的电磁波。
－传导噪声：经由线缆和基板配线传导的噪声
> 差模（普通模式）噪声：发生在电源线之间，且传送方向和电流相同的噪声
> 共模噪声：透过金属外壳等，穿过游离电容等，回到信号源头的噪声
－辐射噪声：释放到空气中的噪声
EMS（Electro Magnetic Susceptibility）：电磁抗扰性
指即使受到电磁波的妨碍、干扰（EMI：传导噪声及辐射噪声）也不会出现损坏的能力、耐受度。
EMC（Electro Magnetic Compatibility）：电磁兼容性
EMI＋EMS。辐射（Emission：放出）对策和抗扰性（Immunity：耐性）的兼容对策。
EMI从路径来看，分成传导噪声和辐射噪声，传导噪声根据传导方式，又可以再细分成差动模式噪声和共模噪声。粗略概述以掌握此类zui基本的知识。
EMI对策

开关电源电路的EMI会影响其他电路及，所以必须实施EMI对策。基本上，在大电流开关节点和线路，增加整合阻抗和具备旁路/过滤功能的电容器、电阻/电容器电路。

1) C12、R17：输出整流二极管增加RC缓冲电路
和输入缓冲相同，降低ON/OFF时产生的峰波。关于输入缓冲请参照这里。C12选择500V 1000pF、R17选择10Ω 1W左右。
2) C10：1次侧和二次侧间增加Y-电容器
称为Y-电容器（Y-Capacitor）的电容器，增加在1次侧和二次侧的接地之间。对此，经由绝缘变压器的绕组间电容器，是降低1次侧的开关噪声使二次侧产生的共模噪声的代表性方法之一。Y-电容器的额定电压必须和变压器的绝缘耐压同等。电容值选择2200pF左右。
3) C11：MOSFET Q1的漏极－源极间增加电容器
为降低起因于高速开关OFF时的浪涌，而在MOSFET的漏极－源极间增加电容器的方法。这也是缓冲电路的一种，但是，会增加损耗，因此必须注意温度上升状况。在这里，使用耐压1kV的10～100pF电容器。
上述的部件常量为开始时的参考值。必须先确认噪声造成的影响后再加以调整。
输出噪声对策

不用说，开关电源的输出电压上存在着取决于开关频率的纹波，以及高频谐波、电感和电容器所引起的噪声。当这些噪声造成困扰时，可以在输出增加LC滤波器有效解决该困扰。

以电感L为10μH、C10为10μF～100μF作为开始时标准值，仔细观察噪声后再加以调整。
以上是主要的噪声对策。不论何种方式，都必须测量噪声、确认噪声对设备造成哪些影响。规划测量环境和装置，是确实测量噪声上不可或缺的。无法定量测量值时，或许可以从设备的S/N等、性能层面，来掌握是否会造成影响。
这里提到的对策，属于适用在电源电路构造上的噪声对策。噪声的产生也和基板布局、部件配置、部件性能等有关系。视实际情况而定，将LC滤波器由简单的L型，升级成π型和T型，以及在电路基板上加必须的屏蔽等。
此外，视设备的规格而定，还必须符合例如国际无线电干扰特别委员会（CISPR）规范等噪声、设备相关规范。必须遵照规范规格，是zui初设计时就必须谨记之要事。
本项以“绝缘型反激式转换器电路设计”为主题，作为电路设计的zui后说明。