型号: DMNH10H028SK3Q-13
说明: MOSFET 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A
寿命周期: 新产品: 此制造商的新产品。
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS
商标: Diodes Incorporated
安装风格: Through Hole
封装: Reel
晶体管极性: N-Channel
价格: 1~9 9.3284
      10~99 7.5430
      100~499 6.0360
      500~999 5.2826
      1000~2499 4.3735
      2500~4999 4.0622
      5000~9999 3.9148
      10000以上 3.6200
封装/箱体: TO-252-3
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 55 A
RdsOn-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs-栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgsth-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 36 nC
工作温度: + 175 C
配置: Single
下降时间: 4.8 ns
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2 W
上升时间: 5.8 ns
系列: DMNH10H028
典型关闭延迟时间: 17.8 ns
典型接通延迟时间: 6.4 ns
通道数量: 1 Channel
通道模式: Enhancement
晶体管类型: 1 N-Channel


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