IPB039N10N3G MOSFET OptiMOS 3

发布时间:2018/7/28 11:47:44

型号:IPB039N10N3G 

品牌:Infineon  

封装:TO-263-7

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:40 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:80 A

导通电阻:3.9 mOhms

配置:Single

工作温度:+ 175 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TO263-3

封装:Reel

商标:Infineon Technologies

下降时间:6 ns

栅极电荷 Qg:59 nC

工作温度:- 55 C

功率耗散:94 W

上升时间:5.4 ns

系列:IPB039N10

工厂包装数量:1000

典型关闭延迟时间:38 ns

零件号别名:IPB039N10N3GE8187ATMA1 SP000939340   

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