型号：IPD135N03LG 

品牌：Infineon

封装:TO-252

PCN Obsolescence：Multiple Devices 19/Mar/2010

标准包装：1

类别：分立式导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS™

包装：剪切带 (CT)FET 

类型：MOSFET N 通道，

金属氧化物FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A （Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：13.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1000pF @ 15V

功率 - 值：31W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

其它名称：IPD135N03LGINCT    

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