型号：CSD75211W1723    

品牌：TI  

封装:BGA

产品种类：MOSFET晶体管

极性：P-Channel

汲极/源极击穿电压：20 V

闸/源击穿电压：+/- 8 V

漏极连续电流：4.5 A

导通电阻：39 mOhms

配置：Dual

工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：DSBGA-12

封装：Reel

商标：Texas Instruments

下降时间：1.6 ns

工作温度：- 55 C

功率耗散：1.5 W

上升时间：4.1 ns

系列：CSD75211W1723

工厂包装数量：3000

商标名：NexFET

   

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