型号：CSD16321Q5

品牌:TI  

封装:SON8  

产品种类：MOSFET晶体管

极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：25 V

闸/源击穿电压：- 8 V, + 10 V

漏极连续电流：31 A

导通电阻：2.4 mOhms

配置：Single Quad Drain Triple Source

工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：SON-8

封装：Reel

商标：Texas Instruments

下降时间：17 ns

工作温度：- 55 C

功率耗散：3.1 W

上升时间：15 ns

系列：CSD16321Q5

工厂包装数量：2500

商标名：NexFET

典型关闭延迟时间：27 ns

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