Infineon FP35R12W2T4 IGBT 模块
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块 RoHS: N 产品: IGBT Silicon Modules 配置: 3-Phase Inverter 集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 1.85 V 在25 C的连续集电极电流: 54 A 栅极—射极漏泄电流: 400 nA Pd-功率耗散: 215 W 封装 / 箱体: EASY2B zui小工作温度: - 40 C zui大工作温度: %2B 150 C 封装: Tray 商标: Infineon Technologies 高度: 12 mm 长度: 56.7 mm 栅极/发射极zui大电压: 20 V 安装风格: Chassis Mount 产品类型: IGBT Modules 系列: Trenchstop IGBT4 - T4 15 子类别: IGBTs 技术: Si 商标名: TRENCHSTOP EasyPIM 宽度: 62.8 mm 零件号别名: SP000307559 FP35R12W2T4BOMA1 单位重量: 39 g
产品分类
QQ咨询
IM询价
拨打电话