NVMFS5C456NLAFT1G ON/安森美公司《腾迅辉》原装现货 2022+ 封装 DFN5_新闻动态

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制造商:	onsemi


技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	87 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	18 nC
工作温度:	- 55 C
工作温度:	%2B 175 C
Pd-功率耗散:	55 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	4 ns
产品类型:	MOSFET
上升时间:	100 ns
系列:	NVMFS5C456NL
	1500
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	9.3 ns
单位重量:	187 mg

NVMFS5C456NLAFT1G ON/安森美 公司《腾迅辉》原装现货 2022+ 封装 DFN5