昂捷热卖!CSD16321Q5专注TI十年,品质服务始终如一!

发布时间:2015/6/3 17:06:30

数据列表 CSD16321Q5
产品相片 8-Power TDFN
产品培训模块 NexFET MOSFET Technology
视频文件 NexFET Power Block
PowerStack™ Packaging Technology Overview
设计资源 Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
PCN 设计/规格 Qualification Revision A 01/Jul/2014
PCN 组件/产地 Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014
Qualification Wire Bond 27/May/2014
Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015
制造商产品页 CSD16321Q5 Specifications
标准包装  2,500
类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列 NexFET™
包装  带卷(TR) 
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Ta),100A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 2.4 毫欧 @ 25A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 19nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3100pF @ 12.5V
功率 - 值 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 8-SON
产品目录页面 1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 296-24517-2

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