日前，Vishay Intertechnology， Inc． 宣布，推出新款6．15 mm x 5．15 mm PowerPAK SO－8单体封装的－－－SiR680ADP，它是80 V TrenchFET 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）为129 mW＊nC，达到同类产品水平。

日前发布的器件10 V条件下导通电阻典型值降至2．35 mΩ，超低栅极电荷仅为55 nC，COSS为614 pF。这些改进后的技术规格，经过调校限度降低开关、通道导通和导通功耗，从而提高能效。这款MOSFET的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数（FOM）比紧随其后的竞争产品低12．2 ％，比前代器件低22．5 ％，使其成为典型48 V输入，12 V输出DC／DC转换器效的解决方案。

SiR680ADP可作为模块用于各种DC／DC和AC／DC转换应用，如同步整流、原边开关、降压－升压转换器，谐振回路开关转换器以及系统OR－ing功能，适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

新款MOSFET经过100 ％ RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。