抗辐射1M×32bit SRAM

发布时间:2020/10/16 10:59:35

YK8CR1M32RH是一款高性能抗辐射1024K×32bit SRAMYK8CR1M32RH为异步操作存储器具有容量大抗辐射数据存取时间快等特点

主要特点

◎ 兼容型号Aeroflex公司UT8ER1M32

◎ 工作电压I/O3.3V

内核1.2V

◎ 读写时间最大数据读取时间20ns

最大数据写入时间10ns

◎ 输入输出接口CMOS电平, 三态双向数据总线

◎ 抗辐射指标总剂量100K RadSi

单粒子闩锁阈值75MeV·cm2/mg

单粒子翻转在轨错误率≤1×10-10错误/·

GEO轨道等效Al 3 mm

◎ 工作温度-55℃~+125

◎ ESD等级2000V

◎ 封装形式CQFP84

◎ 外形尺寸55.37mm×55.37mm成型前

产品型号

类型

容量

bit

读取时间

ns

工作电压

V

输入电平

封装形式

兼容型号

YK8CR1M32RH

SRAM

1M×32

20 10

内核1.2 I/O3.3

CMOS

CQFP84

UT8ER1M32


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