特性
•RDS()= 94 mΩ(Max)。@ vg = 10 V,ID = 16.5
•低闸极电荷(Typ 36.8数控)。
•低crs(Typ 39 pF)。
•100%雪崩测试

应用程序：

产品描述：

UniFETTM MOSFET飞兆半导体公司的高压MOSFET家庭基于平面条纹和DMOS结构技术。这个MOSFET是针对减少开态电阻,并提供更好的交换性能和更高的avalanche.energy力量。这个设备的家庭适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视的力量,ATX灯和电子镇流器。