数据列表 NTZD3155C;
标准包装  4,000
包装  标准卷带 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -
其它名称 NTZD3155CT1GOSTR


规格
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 540mA，430mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 150pF @ 16V
功率 - 值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 SOT-563