数据列表 NTTFS4C05N;
标准包装  1,500
包装  标准卷带 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 -
其它名称 NTTFS4C05NTAG-ND
NTTFS4C05NTAGOSTR


规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Ta），75A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 3.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 31nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 1988pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 820mW（Ta）, 33W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳 8-PowerWDFN