数据列表 Si7615ADN;
标准包装  3,000
包装  标准卷带 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 TrenchFET®
其它名称 SI7615ADN-T1-GE3TR
SI7615ADNT1GE3


规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 4.4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 183nC @ 10V
Vgs（值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 5590pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8