数据列表 SI7850DP;
标准包装  3,000
包装  标准卷带 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 TrenchFET®
其它名称 SI7850DP-T1-GE3TR
SI7850DPT1GE3


规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.2A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 22 毫欧 @ 10.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 27nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8