数据列表 FQD7P20;
标准包装  2,500
包装  标准卷带 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 QFET®
其它名称 FQD7P20TM-ND
FQD7P20TMTR


规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.7A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 690 毫欧 @ 2.85A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 25nC @ 10V
Vgs（值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 770pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.5W（Ta），55W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63