晶体管由两个pn结构成，分成三层，按照p型和n型排列的顺序不同，可分为npn型和pnp型两类，结构示意图和电路符号如下图所示。根据所使用的材料不同，晶体管又可分为npn型锗管和npn型硅管，pnp型锗管和pnp型硅管。
两类晶体管都分成基区、发射区、集电区，分别引出的电极称为基极（b）、发射极（e）、集电极（c）。基区和发射区之间的结称为发射结；基区和集电区之间的结称为集电结。npn型和pnp型符号的区别是发射极的箭头方向不同。
晶体管内部结构上的特点是：发射区杂质浓度 高，即多子浓度 高，体积较大；基区很薄且杂质浓度极低；集电区体积 大，杂质浓度较发射区低。这是晶体管具有电流放大作用的内部条件。