所谓HEMT，是指将AIGaAs/GaAs层混合接合部界面所产生的电子积蓄层作为通道的晶体管。因为可以直接通过栅极电极控制通道，因此除了低噪音、高增益以外，还具有特别优良的GHz带的高频波的特征。
    基本结构
    将在Ⅲ-V族化合物半导体混合接合面部分合面）所产生的高移动率的电子层（或空穴层）作为通道的肖特基栅极型FET。将栅极电极设置在AIGaAs层上，使其厚度变薄，在外加栅极电压时，使AIGaAs层完全空乏。
    动作原理
    由混入AIGaAs层的施体不纯物提供的电子横切混合接合面后，向能量较低的GaAs侧移动，移动后的电子被AIGaAs侧施体离子的库仑力吸引到混合接合界面，形成极薄的通道层。通过栅极电压控制该2次元电子气体的浓，控制源极、漏极之间的电流。这样，电子和不纯物离子被分离，GaAs中的电子可以不受到不纯物散乱的影响，高速移动。