1.三极管饱和状态下的特点
    要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC，所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V)，而UCES=0.3V，可见，UBE>0，UBC>0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。
    三极管饱和后，C、E 间的饱和电阻RCE=UCES/ICS，UCES 很小，ICS  大，故饱和电阻RCES很小。所以说三极管饱和后G、E 间视为短路，饱和状态的NPN 型三极管等效电路如图1a 所示。
    2.三极管截止状态下的特点
    要使三极管处于截止状态，必须基极电流IB=0，此时集电极IC=ICEO≈0(ICEO 为穿透电流，极小)，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC，集电极与发射极间的电压UCE≈EC。
    三极管截止时，基极电流IB=0，而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见，UBE≤0，UBC<0，也就是说，发射结和集电结均为反偏。三极管截止后，C、E 间的截止电阻RCE=UCE/IC，UCES 很大，等于电源电压，ICS 极小，C、E 间电阻RCE 很大，所以，三极管截止后C、E 间视为开路，截止状态的NPN 型三极管等效电路如图1b。
    3.三极管放大状态下的特点
    要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：01V 以上，UBE>0，UBC<0，也就是说，发射结正偏，集电结反偏。
    三极管在放大状态时，IB 与IC 成 对应关系。当IB 增大时，IC 也增大，并且1B 增大一倍，IC 也增大一倍。所以，IC 主要受IB 控制而变化，且IC 的变化比IB 的变化大得多，即集电极电IC=β×IB。