| 数据列表 |
IRF640N(S,L)PbF |
|---|---|
| 产品相片 |
TO-220AB PKG |
| 产品培训模块 |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 
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50 |
| 类别 |
分立半导体产品 |
| 家庭 |
FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
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包装
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管件
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 18A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 67nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 150W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 产品目录页面 |
1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRF640NPBF |
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