零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 150 V | |
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），45A（Tc） | |
驱动电压（ Rds On， Rds On） | 6V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） | 12.4 毫欧 @ 10A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（值） | 4V @ 250?A | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） | 63 nC @ 10 V | |
Vgs（值） | ?20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） | 4480 pF @ 75 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（值） | 2.7W（Ta），113W（Tc） | |
工作温度 | -55?C ~ 150?C（TJ） | |
等级 | - |
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