FQD13N10 100V N沟道MOSFET 仙童原装进口 代理商

发布时间:2016/12/20 11:28:16

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深圳市晶美隆科技有限公司

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FQD13N10 / FQU13N10
100V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的,
平面条形, DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
限度地减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于低电压应用,例如音频放大器,
高效率的开关型DC / DC转换器和DC马达
控制权。
TM
特点
 
10A , 100V ,R
DS ( ON)
= 0.18Ω @V
GS
= 10 V
低栅极电荷(典型的12 NC)
低的Crss (典型值20 pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力

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