FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 55 V | |
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） | |
驱动电压（ Rds On， Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） | 20 毫欧 @ 42A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（值） | 4V @ 250?A | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） | 180 nC @ 10 V | |
Vgs（值） | ?20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） | 3500 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（值） | 170W（Tc） | |
工作温度 | -55?C ~ 150?C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | D2PAK | |
封装/外壳 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 %2B 凸片），TO-263AB | |
基本产品编号 | IRF4905 |
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