| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 48A（Ta） |
| 驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） | 8 毫欧 @ 20A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（大值） | 2.5V @ 7mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） | 11 nC @ 5 V |
| Vgs（大值） | %2B6V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） | 1140 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（大值） | - |
| 工作温度 | -40?C ~ 150?C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 基本产品编号 | EPC20 |
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