制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3PN-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流: 8 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 85 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

高度: 20 mm  

长度: 15.5 mm  

系列: 2SK2847  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 20 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 25 ns  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 77 ns  

典型接通延迟时间: 21 ns  

单位重量: 7 g