制造商: Infineon

产品种类: 分立半导体模块

RoHS:  详细信息  

产品: Power MOSFET Modules

类型: SiC Power Module

Vf - 正向电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 20 V

安装风格: Press Fit

封装 / 箱体: Easy1B-2

工作温度: - 40 C

工作温度: + 150 C

封装: Tray

配置: Dual  

商标: Infineon Technologies  

晶体管极性: N-Channel  

下降时间: 12 ns  

Id-连续漏极电流: 50 A  

工作电源电压: -  

Pd-功率耗散: 20 mW  

产品类型: Discrete Semiconductor Modules  

Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms  

上升时间: 9.6 ns  

工厂包装数量: 24  

子类别: Discrete Semiconductor Modules  

商标名: CoolSIC  

典型关闭延迟时间: 43.5 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

Vds-漏源极击穿电压: 1200 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V