制造商: Cree, Inc.

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管类型: HEMT

技术: GaN

增益: 15 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 120 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流: 3 A

输出功率: 30 W

漏极/栅极电压: -

工作温度: -

工作温度: -

Pd-功率耗散: -

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Die

封装: Waffle

应用: -  

配置: Dual  

高度: 100 um  

长度: 1660 um  

工作频率: 4 GHz to 6 GHz  

工作温度范围: -  

产品: GaN HEMT  

宽度: 920 um  

商标: Wolfspeed / Cree  

闸/源截止电压: -  

通道数量: 2 Channel  

类: -  

开发套件: -  

下降时间: -  

NF—噪声系数: -  

P1dB - 压缩点: -  

产品类型: RF JFET Transistors  

Rds On-漏源导通电阻: 500 mOhms  

上升时间: -  

工厂包装数量: 10  

子类别: Transistors  

典型关闭延迟时间: -  

Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V